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多光子非线性量子干涉首次实现 为新型量子态制备等应用奠定基础******

　　科技日报合肥1月16日电 (记者吴长锋)记者16日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作，基于光量子集成芯片，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果日前发表在光学权威学术期刊《光学》上。

　　量子干涉是众多量子应用的基础，特别是近年来基于路径不可区分性产生的非线性干涉过程越来越引起人们的关注。尽管双光子非线性干涉过程已经实现了20多年，并且在许多新兴量子技术中得到应用，直到2017年，人们才在理论上将该现象扩展到多光子过程，但实验上由于需要极高的相位稳定性和路径重合性，一直未获得新进展。光量子集成芯片，以其极高的相位稳定性和可重构性逐渐发展成为展示新型量子应用、开发新型量子器件的理想平台，也为多光子非线性干涉研究提供了实现的可能性。

　　任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展。在前工作基础上，研究组通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构片上级联，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程，其四光子干涉可见度为0.78。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化，这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。

　　这一成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程，为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等应用奠定了基础。审稿人一致认为这是一个重要的研究工作，并给出了高度评价：该芯片设计精良，包含多种集成光学元件，如纠缠光子源、干涉仪、频率滤波器/组合器；这项工作推动了集成光子量子信息科学与技术研究领域的发展。

中消协：46款充电数据线比较试验报告显示近半数样品阻燃能力不佳******

　　新华社北京1月12日电（记者赵文君）小小的充电数据线看起来外表相似，实际上内在质量相差悬殊。中消协12日发布的46款充电数据线比较试验报告显示，在46款样品中，近半数样品阻燃能力不佳，编织线外皮更易降低阻燃性；近半数样品耐腐蚀性能弱，金属部分容易锈蚀。

　　据介绍，此次比较试验由中消协委托中国信息通信研究院中国泰尔实验室进行，对市场上销售的部分品牌充电数据线进行比较试验，46款样品分别购自电商平台，涉及20个品牌。此次比较试验主要针对充电数据线电气安全和硬件可靠性两方面进行测试和比较，目的是比较产品性能的差异和优劣，不对产品是否合格进行判定。

　　充电数据线大功率使用时，一旦出现异常，无论是自身过热导致自燃或是靠近起火物品成为助燃源，都会带来安全隐患。中消协提醒广大消费者，如果充电数据线外衣已经出现破损，或是插上用电设备后出现接触不良或充电过程中发热严重，应当尽快更换新线。

　　（文图：赵筱尘 巫邓炎）